台积电据称已开始以其 “1.4nm” 工艺进行芯片的首次试产。据业内人士称，由此看来 “A14” 芯片的开发进程比计划更为顺利。台积电最早可能于今年年底扩大至更大的生产规模，并于 2028 年初开始以这一最先进工艺量产芯片。业内人士向台湾媒体表示了这一说法。台积电据称已在新竹宝山 Fab 20 以及中部科学园区 Fab 25 启动试产。在试产阶段，台积电以所谓的 1.4nm 工艺制造芯片，尽管这一说法并不完全准确，因为它与晶体管的尺寸并不相符。台积电去年发布了这一名为 A14 的节点。该公司当时表示，计划在 2028 年期间正式启动生产。
消息人士向《联合报》表示，A14 的开发目前似乎比预期进展更好。在首个生产阶段，制造商会检查芯片设备是否正确校准、工厂是否准备就绪，然后才能扩大生产规模。在首个试产阶段完成后，台积电希望在 2027 年扩大至更高的良率。良率是指生产流程结束时可用芯片的百分比。预计这些芯片的量产可在 2028 年启动。消息人士向《联合报》表示，首批测试目前似乎进展良好，以至于未来的规模化生产可能提前数月。这取决于在首次扩产期间良率最终能达到多高。
台积电去年发布了 A14 节点。据这家台湾制造商称，其性能与 N2 相当。 N2 是 “2nm” 工艺，其生产将于今年晚些时候开始。台积电在这两个制程中都使用了所谓的 “纳米片” 。这是一种新型晶体管类型，也被称为 “全环绕栅极” 。在纳米片晶体管中，沟道被栅极完全包围。这可以防止漏电流，并使晶体管能够做得更小、性能更好。纳米片将作为已使用十多年的 finfet 的继任者。台积电表示，A14 在相同功耗下性能提升多达 15% 。 A14 芯片在相同性能水平下功耗也降低多达 30% 。与此同时，晶体管总密度提升 20% 。在逻辑电路方面，这一密度提升略高，约为 23% 。
