UFS 3.1 闪存标准发布:更快性能,更高效率

联合电子设备工程理事会(JEDEC)周五发布了 UFS v3.1(JESD220E)标准的规范,以作为对 UFS 3.0 的升级。

根据 JEDEC 的说法,已经为需要高性能,低功耗的移动应用和计算系统开发了新标准。UFS v3.1 提供了新功能,可以提高读/写速度,同时最大程度地减少功耗。

因此,UFS 3.1 定义了许多关键更新,包括 “ Write Booster”(SLC 非易失性缓存,可提高写入速度)。’DeepSleep’–入门级设备的新 UFS 设备低功耗状态,以及’Performance Throttling Notifications(性能节流通知)’,当高温导致存储性能下降时,UFS 设备可以通知主机。

除了 UFS 3.1,该组织还发布了一个可选的新的配套标准,称为 UFS 主机性能增强(HPB)扩展(JESD220-3)。据说它提供了一个选项,可以将 UFS 设备逻辑地址映射缓存到系统 DRAM 中的物理地址映射。“对于密度较大的 UFS 设备,使用系统 DRAM 提供更大更快的缓存,从而提高设备的读取性能,” 该组织在一份官方新闻稿中说。

值得注意的是,去年 UFS 3.0 存储仅用于一些旗舰智能手机,包括三星 Galaxy Note 10 系列。UFS 2.1nand 仍然是 flash 存储的默认标准,去年大多数旗舰智能手机都沿用了老标准。事实上,大多数入门级和中档智能手机都继续搭载 eMMC 存储设备,因此,最新的标准何时能进入消费设备领域,将是一件有趣的事情。

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